STAV58010P2 Galliumnitried 50V, 10W, DC-6GHz RF Power Transistor

Place of Origin CN
Merknaam in
Model Number STAV58010P2
Minimum Order Quantity 1
Prijs Based on current price
Packaging Details anti-static bag & cardboard box
Delivery Time 5-8 work days
Payment Terms T/T
Supply Ability 3550 pcs In stock

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Operating Voltage 55 Vdc Maximum forward gate current 2 mA
Gate--Source Voltage S -8 to +0.5 Vdc Drain--Source Voltage +200 Vdc
Storage Temperature Range -65 to +150 Case Operating Temperature +150
Operating Junction Temperature +225
Laat een bericht achter
Productomschrijving

Gallium Nitride 50 V, 16 W, DC-6GHzRF Kracht Transistor
 
Beschrijving
 
De STAV58016P2 is a. 16 watt, ongeëvenaard GaN HEMT, ideaalvoor algemene toepassingennaar 6 GHz.
Het bevathoog winst, breed band en laag kosten, in 4 × 4,5 mmDFNplastic Pakket.
Dat kan. steunCW, Pulsof een of andere gemoduleerd Signal.
Daar. is - Nee. garantie van prestaties wanneer dit deel is gebruikt buiten van Vermeld frequenties.

  • Typisch Klasse AB Eenvoudig - vervoerder W-CDMA-kenmerken Prestaties:

VDD = 50 Vdc,Ik...DQ = 20 mA, Invoer Signaal PAR = 10 dB @0.01% Waarschijnlijkheid op CCDF.
(Op Invordering aanvraagbord met toestel is gelast)
 

Freq
(MHz)

Pout
(dBm)

CCDF
(dB)

Ppeak
(dBm)

Ppeak
(W)

ACRP
(dBc)

Gewin
(dB)

Eff.
(%)

3300

33.009.1242.1216.3- Ik ben 35.916.827.8
340032.999.0442.0316.0- 36 jaar.317.127.8
350033.008.9241.9215.6- 37 jaar.117.428.7
360032.978.9041.8815.4- 38 jaar.117.527.4
370033.008.9741.9715.7- 39.417.427.4
380033.018.9041.9115.5- Viertig.716.625.7

 
Toepassingen

  • 5G, 4G draadloze infrastructuur
  • Breedband of nauwe band vermogen versterker
  • Test instrumenten
  • Burgerlijk Puls radar
  • Verwarmer