Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond-elektronica

  • W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
Merknaam Winbond Electronics
Modelnummer W949D6DBHX5I
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - Mobiele LPDDR Geheugengrootte 512Mbit
Geheugenorganisatie 32M x 16 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 200 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 15ns
Toegangstijd 5 NS Spanning - Voeding 1.7V ~ 1.95V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 60-TFBGA Verpakking van de leverancier 60-VFBGA (8x9)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Algemene beschrijving

W9425G6DH is een CMOS Double Data Rate synchroon dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen (DDR SDRAM), georganiseerd als 4,194Met behulp van pipeline-architectuur en 0,11 μm procestechnologie levert W9425G6DH een gegevensbandbreedte van maximaal 500M woorden per seconde (-4).Volledige naleving van de industriële standaard voor personal computers, W9425G6DH is ingedeeld in vier snelheidscategorieën: -4, -5, -6 en -75. De -4 voldoet aan de DDR500/CL3-specificatie. De -5 voldoet aan de DDR400/CL3-specificatie.De -6 voldoet aan de DDR333/CL2.5 specificatie (de -6I-klasse die gegarandeerd -40 °C ~ 85 °C kan ondersteunen). De -75 is in overeenstemming met de DDR266/CL2-specificatie (de 75I-klasse die gegarandeerd -40 °C ~ 85 °C kan ondersteunen).

GESCHIEDENIS

• 2,5V ± 0,2V stroomvoorziening voor DDR266/DDR333
• 2.6V ± 0,1V stroomvoorziening voor DDR400/DDR500
• Clockfrequentie tot 250 MHz
• Double Data Rate architectuur; twee gegevensoverdrachten per clockcyclus
• Differentiële klokinvoer (CLK en CLK)
• DQS is rand-uitgerust met gegevens voor Lees; midden-uitgerust met gegevens voor Schrijven
• CAS-latentie: 2, 2,5 en 3
• De lengte van de ontploffing: 2, 4 en 8
• Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing
• Vooropgeladen en actieve uitval
• Schrijf een gegevensmasker
• Schrijf latency = 1
• 7,8 μS vernieuwingsinterval (8K / 64 mS vernieuwing)
• Maximale opwarmingscyclus: 8
• Interface: SSTL_2
• Verpakt in TSOP II 66-pin, 400 mil, 0,65 mm pin pitch, met Pb-vrij en RoHS-compliant

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Winbond Electronics
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Tray Alternatieve verpakking
Pakketdoos 60-TFBGA
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 10,7 V ~ 1,95 V
Verpakking van het product van de leverancier 60 VFBGA (8x9)
Geheugencapaciteit 512M (32M x 16)
Geheugentype Mobiele LPDDR-SDRAM
Versnelling 200 MHz
Format-geheugen RAM

Beschrijvingen

SDRAM - mobiel LPDDR geheugen IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-pin VFBGA
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC