Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Merknaam Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Modelnummer DS1225AD-200+
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Niet-vluchtig Geheugenformaat NVSRAM
Technologie NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM) Geheugengrootte 64Kbit
Geheugenorganisatie 8K x 8 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie - Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 200ns
Toegangstijd 200 NS Spanning - Voeding 4.5V ~ 5.5V
Werktemperatuur 0°C ~ 70°C (TA) Montage-type Door het gat
Pakket / doos 28-DIP-module (0,600", 15,24 mm) Verpakking van de leverancier 28-EDIP
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Beschrijving

De DS1225AB en DS1225AD zijn 65,536-bits, volledig statische, niet-vluchtige SRAM's georganiseerd als 8192 woorden bij 8 bits.Elke NV SRAM heeft een zelfstandige lithium-energiebron en besturingscircuits die VCC voortdurend controleren op een toestand buiten de tolerantie..

GESCHIEDENIS

10 jaar minimale gegevensbewaring bij afwezigheid van externe stroom
Gegevens worden automatisch beschermd bij stroomstoring
Direct vervangt 8k x 8 vluchtig statisch RAM of EEPROM
Onbeperkte schrijfcycli
CMOS met laag vermogen
JEDEC-standaard 28-pin DIP-pakket
Lees- en schrijftoegangstijden tot 70 ns
Lithium energiebron is elektrisch afgesloten om frisheid te behouden tot de stroom wordt toegepast voor de eerste keer
Volledige ±10% VCCoperatiereik (DS1225AD)
Optioneel ±5% VCC-operatieruimte (DS1225AB)
Facultatief industriële temperatuurbereik van -40 °C tot +85 °C, aangeduid als IND

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Maxim Geïntegreerd
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks DS1225AD
Verpakking Buis
Montage-stijl Door het gat
Pakketdoos 28-DIP-module (0,600", 15,24 mm)
Werktemperatuur 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 4.5 V ~ 5.5 V
Verpakking van het product van de leverancier 28-EDIP
Geheugencapaciteit 64K (8K x 8)
Geheugentype NVSRAM (niet-vluchtige SRAM)
Versnelling 200 ns
Toegangstijd 200 ns
Format-geheugen RAM
Maximale werktemperatuur + 70 °C
Werktemperatuurbereik 0 C
Bedrijfsvoorzieningstroom 75 mA
Interface-type Parallel
Organisatie 8 k x 8
Deel-#-Aliassen 90-1225A+D00 DS1225AD
Databusbreedte 8 bit
Versmeltingsspanning-max 5.5 V
Voedingsspanning-min 4.5 V
Pakketdoos EDIP-28

Functioneel compatibel onderdeel

Vorm, verpakking, functioneel compatibel onderdeel

Vervaardigersdeel# Beschrijving Vervaardiging Vergelijk
DS1225Y-200+
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-28 Maxim Geïntegreerde producten DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND
Geheugen		 8KX8 NIET-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200IND
DS1225Y-200
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 Maxim Geïntegreerde producten DS1225AD-200+ versus DS1225Y-200
DS1225AD-200
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-28 Dallas halfgeleider DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-28 Maxim Geïntegreerde producten DS1225AD-200+ vs. DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200
Geheugen		 8KX8 Niet-vluchtige SRAM-module, 200ns, DMA28, DIP-28 Texas Instruments DS1225AD-200+ vs. BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
Geheugen		 8KX8 Niet-vluchtige SRAM-module, 200ns, PDIP28 Texas Instruments DS1225AD-200+ vs. BQ4010YMA-200
DS1225AB-200
Geheugen		 8KX8 NIET-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 Rochester Electronics LLC DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200
DS1225AB-200+
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-28 Maxim Geïntegreerde producten DS1225AD-200+ versus DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+
Geheugen		 Niet-vluchtige SRAM-module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-28 Maxim Geïntegreerde producten DS1225AD-200+ versus DS1225AD-200IND+

Beschrijvingen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) geheugen IC 64Kb (8K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k Niet-vluchtige SRAM
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC