IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Merknaam ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modelnummer IS43DR81280C-25DBL
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - DDR2 Geheugengrootte 1Gbit
Geheugenorganisatie 128M x 8 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 400 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 15ns
Toegangstijd 400 ps Spanning - Voeding 1.7V ~ 1.9V
Werktemperatuur 0°C ~ 85°C (TC) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 60-TFBGA Verpakking van de leverancier 60-TWBGA (8x10.5)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
IS43DR86400E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-6BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43LR16640A-5BLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR82560C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR86400D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR81280C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS46DR81280C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
IS43DR86400C-25DBI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

GESCHIEDENIS

● Standaardspanning: VDD en VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Lage spanning (L): VDD en VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Achteruit compatibel met 1,5 V
● Hoge snelheid van gegevensoverdracht met systeem
frequentie tot 933 MHz
● 8 interne banken voor gelijktijdige werking
● 8n-bit pre-fetch architectuur
● Programmeerbare CAS-latentie
● Programmable Additive Latency: 0, CL-1, CL-2
● Programmeerbare CAS WRITE latency (CWL) op basis van tCK
● Programmabele ontploffingslengte: 4 en 8
● Programmeerbare uitbarstingsreeks: sequentieel of interleave
● BL-schakelaar op de vlucht
● Automatische zelfopfrissing (ASR)
● Zelfverfrissende temperatuur (SRT)
● Vernieuwingsinterval:
7.8 us (8192 cycli/64 ms) Tc= -40°C tot 85°C
3.9 us (8192 cycli/32 ms) Tc= 85°C tot 105°C
● Zelfverfrissing in een gedeeltelijke reeks
● Asynchrone RESET pin
● TDQS (Termination Data Strobe) ondersteund (alleen x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● Dynamische ODT (On-Die Termination)
● Rijkracht: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 )
● Schrijf het niveau
● Tot 200 MHz op DLL-afstand
● Werktemperatuur:
Commerciële (TC = 0°C tot +95°C)
Industrieel (TC = -40°C tot +95°C)
Automobiel, A1 (TC = -40°C tot +95°C)
Automobilerij, A2 (TC = -40°C tot +105°C)

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging ISSI
Productcategorie Geheugen-IC's
Vervaardiging ISSI
Productcategorie DRAM
RoHS Detail
Brandnaam ISSI

Beschrijvingen

SDRAM - DDR2-geheugen IC 1 GB (128 M x 8) Parallel 400 MHz 400ps 60-TWBGA (8x10.5)
DRAM-chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-pin TW-BGA
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 128Mx8