Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond-elektronica

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Merknaam Winbond Electronics
Modelnummer W979H2KBVX2I
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - Mobiele LPDDR2 Geheugengrootte 512Mbit
Geheugenorganisatie 16M x 32 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 400 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 15ns
Toegangstijd - Spanning - Voeding 1.14V ~ 1.95V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 134-VFBGA Verpakking van de leverancier 134-VFBGA (10x11.5)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Algemene beschrijving

De W9712G6JB is een 128M bits DDR2 SDRAM, georganiseerd als 2,097,152 woorden ×4 banken ×16 bits. Dit apparaat bereikt hogesnelheidsoverdrachtsnelheden tot 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) voor algemene toepassingen. W9712G6JB is gesorteerd in de volgende snelheidsgraden: -18, -25,25IDe -18 voldoet aan de DDR2-1066 (7-7-7) specificatie.De -25/25I/25A zijn conform de DDR2-800 (5-5-5) of DDR2-800 (6-6-6) specificatie (de 25I industriële klasse en de 25A automotive klasse die gegarandeerd -40°C ≤TCASE ≤95°C ondersteunt)De -3 voldoet aan de DDR2-667 (5-5-5) specificatie.

GESCHIEDENIS

Vermogen: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 V
Double Data Rate architectuur: twee gegevensoverdrachten per clockcyclus
CAS-latentie: 3, 4, 5, 6 en 7
De lengte van de uitbarsting: 4 en 8
Bi-directionele, differentiële gegevensstrobes (DQS en DQS) worden met gegevens verzonden/ontvangen
Rand-uitgerust met leesgegevens en midden-uitgerust met schrijfgegevens
DLL stemt DQ en DQS overgangen af met klok
Differentiële klokinvoer (CLK en CLK)
Gegevensmaskers (DM) voor het schrijven van gegevens.
Bevels die op elke positieve CLK-rand, gegevens en gegevensmasker worden ingevoerd, worden naar beide randen van DQS verwezen.
Geplaatst CAS programmeerbare additieve latentie ondersteund om commando en databus efficiëntie te maken
Leeslatentie = additieve latentie plus CAS-latentie (RL = AL + CL)
Off-Chip-Driver-impedancieinstelling (OCD) en On-Die-Termination (ODT) voor betere signaalkwaliteit
Automatische voorlaadfunctie voor lezen en schrijven
Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing
Vooropgeladen en actieve uitschakeling
Gegevensmasker schrijven
Schrijf latentie = lees latentie - 1 (WL = RL - 1)
Interface: SSTL_18
Verpakt in WBGA 84 bal (8X12,5 mm)2), waarbij loodvrije materialen met RoHS-conformiteit worden gebruikt

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Winbond Electronics
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Tray
Pakketdoos 134-VFBGA
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 1.14 V ~ 1.95 V
Verpakking van het product van de leverancier 134-VFBGA (10x11.5)
Geheugencapaciteit 512M (16M x 32)
Geheugentype mobiele LPDDR2-SDRAM
Versnelling 400 MHz
Format-geheugen RAM

Beschrijvingen

SDRAM - Mobiele LPDDR2 geheugen IC 512Mb (16M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
HIGH SPEED SDRAM, CLOCK RATE tot 533 MHz, 4 interne banken
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC