MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.

Algemene beschrijving

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM vereist geen rij/kolom adres multiplexing en is geoptimaliseerd voor snelle willekeurige toegang en high-speed bandbreedte.
RLDRAM is ontworpen voor communicatie data opslag zoals verzenden of ontvangen buffers in telecommunicatiesystemen evenals gegevens of instructie cache applicaties die grote hoeveelheden geheugen vereisen.

GESCHIEDENIS

• 2,5V VEXT, 1,8V VDD, 1,8V VDDQ I/O
• Cyclische bank adressering voor maximale gegevensbandbreedte
• Niet-multiplexed adressen
• Ononderbroken sequentiële uitbarsting van twee (2-bit)
prefetch) en vier (4-bit prefetch) DDR
• Doelstelling 600 Mb/s/p gegevenssnelheid
• Programmable Read Latency (RL) van 5-8
• Data valid signal (DVLD) geactiveerd als er gelezen gegevens beschikbaar zijn
• Data Mask signalen (DM0/DM1) om eerst en
Tweede deel van het schrijven van data-burst
• IEEE 1149.1-compliant JTAG-grensscan
• Pseudo-HSTL 1,8 V I/O-toevoer
• Interne automatische oplaadplaat
• Vernieuwingsvereisten: 32 ms bij 100°C
Temperatuur (8K vernieuwing voor elke bank, 64K vernieuwing
het commando moet in totaal om de 32 ms worden afgegeven)