Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Merknaam ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modelnummer IS43R16160F-6BLI
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - DDR Geheugengrootte 256Mbit
Geheugenorganisatie 16M x 16 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 166 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 15ns
Toegangstijd 700 ps Spanning - Voeding 2.3V ~ 2.7V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 60-TFBGA Verpakking van de leverancier 60-TFBGA (8x13)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

GESCHIEDENIS

• Standaardspanning: VDD en VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Lage spanning (L): VDD en VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Achteruit compatibel met 1,5 V
• hoge snelheidsgegevensoverdracht met een systeemfrequentie tot 933 MHz
• 8 interne banken voor gelijktijdige werking
• 8n-bit pre-fetch architectuur
• Programmeerbare CAS-latentie
• Programmable Additive Latency: 0, CL-1, CL-2
• Programmeerbare CAS WRITE latency (CWL) op basis van tCK
• Programmable Burst Length: 4 en 8
• Programmeerbare uitbarstingsreeks: sequentieel of interleave
• BL-schakelaar op de vlucht
• Automatische zelfvernieuwing (ASR)
• Zelfverfrissingstemperatuur (SRT)
• Vernieuwingsinterval:
7.8 us (8192 cycli/64 ms) Tc= -40°C tot 85°C
3.9 us (8192 cycli/32 ms) Tc= 85°C tot 105°C
• Zelfverfrissing in een gedeeltelijke reeks
• Asynchrone RESET pin
• TDQS (Termination Data Strobe) ondersteund (alleen x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• Dynamische ODT (On-Die Termination)
• Stroomsterkte: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Schrijf het niveau
• Tot 200 MHz in DLL uitgeschakelde modus
• Werktemperatuur:
Commerciële (TC = 0°C tot +95°C)
Industrieel (TC = -40°C tot +95°C)
Automobiel, A1 (TC = -40°C tot +95°C)
Automobilerij, A2 (TC = -40°C tot +105°C)

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging ISSI
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Tray Alternatieve verpakking
Pakketdoos 60-TFBGA
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 2.3 V ~ 2,7 V
Verpakking van het product van de leverancier 60-TFBGA (8x13)
Geheugencapaciteit 256M (16M x 16)
Geheugentype DDR SDRAM
Versnelling 166 MHz
Format-geheugen RAM

Beschrijvingen

SDRAM - DDR geheugen IC 256 Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM-chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-pin TFBGA
DRAM 256M, 2,5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC