Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

  • MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
Merknaam Micron Technology Inc.
Modelnummer MT2B2B2B2B2B2B2B2B2
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Niet-vluchtig, vluchtig Geheugenformaat FLITS, RAM
Technologie Flash - NAND, mobiele LPDRAM Geheugengrootte 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM)
Geheugenorganisatie 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 208 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina -
Toegangstijd - Spanning - Voeding 1.7V ~ 1.95V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 168-WFBGA Verpakking van de leverancier 168-WFBGA (12x12)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H32M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-5 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 IT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H64M32LFMA-6 WT:B IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB2432BCPA-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB2432BCPE-8D-F-D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-D IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB1332BDPA-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
EDBA232B2PF-1D-F-R TR IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA
EDB5432BEPA-1DIT-F-R IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Algemene beschrijving

Micron NAND Flash-apparaten bevatten een asynchrone data-interface voor high-performance I/O-operaties.Er zijn vijf besturingssignalen die worden gebruikt om de asynchrone data-interface te implementeren: CE#, CLE, ALE, WE# en RE#.
Deze hardware-interface creëert een apparaat met een laag pin-telling met een standaard pin-out die hetzelfde blijft van de ene dichtheid naar de andere, waardoor toekomstige upgrades naar hogere dichtheid kunnen worden uitgevoerd zonder dat het bord opnieuw wordt ontworpen.
Een doel is de geheugenunit die wordt geopend door een chip-activatie-signaal.Een NAND Flash die is de minimale eenheid die zelfstandig opdrachten kan uitvoeren en status kan rapporterenEen NAND Flash die, in de ONFI-specificatie, wordt aangeduid als een logische eenheid (LUN).zie Device and Array Organization (Device en Array-organisatie).
Dit apparaat heeft een interne 4-bits ECC die met behulp van de GET/SET-functies kan worden ingeschakeld.
Voor meer informatie, zie interne ECC en reserve-area mapping voor ECC.

Kenmerken

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-conform1
• Single-level cell (SLC) technologie
• Organisatie
️ Pagina grootte x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
– Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
Blocgrootte: 64 pagina's (128K + 4K bytes)
Grootte van het vliegtuig: 2 vliegtuigen x 2048 blokken per vliegtuig
¢ Device-grootte: 4 GB: 4096 blokken; 8 GB: 8192 blokken 16 GB: 16.384 blokken
• Asynchrone I/O-prestaties
¢ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Array prestaties
¢ Lezen van pagina: 25μs 3
Programmapagina: 200 μs (type: 1,8 V, 3,3 V)
¢ Verwijderingsblok: 700 μs (TYP)
• Bevelsets: ONFI NAND Flash Protocol
• Geavanceerde commando's
– Program page cache mode4
Lees pagina cache modus 4
¢ Eenmalig programmeerbaar (OTP)
– Two-plane commands 4
¢ Interleaved die (LUN) operaties
Lees unieke ID
– Block lock (1.8V only)
¢ Intern gegevensverkeer
• De operationele status byte biedt een softwaremethode voor het detecteren van
¢ voltooiing van de operatie
– Pass/fail condition
️ Schrijfbeschermingsstatus
• Het signaal "Ready/Busy#" (R/B#) is een hardware-methode voor het detecteren van de voltooiing van de operatie.
• WP#-signaal: Schrijf bescherm het hele apparaat
• Het eerste blok (blokadres 00h) is geldig wanneer het van de fabriek met ECC wordt verzonden.
• Block 0 vereist 1-bits ECC indien de PROGRAMM/ERASE cycli kleiner zijn dan 1000
• RESET (FFh) als eerste opdracht na het inschakelen
• Alternatieve methode voor het initialiseren van het apparaat (Nand_In it) na het opstarten (contact factory)
• Ondersteunde interne dataverplaatsingsactiviteiten binnen het vlak van waaruit de gegevens worden gelezen
• Kwaliteit en betrouwbaarheid
Bewaring van gegevens: 10 jaar
- Duurzaamheid: 100.000 PROGRAMM/ERASE cycli
• Werkspanningsbereik
VCC: 2,7 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Werktemperatuur:
Commerciële: 0°C tot +70°C
Industrieel (IT): van 40 °C tot + 85 °C
• Pakket
️ 48-pins TSOP type 1, CPL2
- 63-bal VFBGA

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Micron Technology Inc.
Productcategorie Geheugen-IC's
Categorieën PMIC - Energiebeheer - Gespecialiseerd
Vervaardiging Dioden geïntegreerd
Reeks -
Deelstatus De laatste keer kopen
Toepassingen Verwarmingscontroller
Stroomvoorziening -
Spanningsvoorziening 4 V ~ 5,5 V
Werktemperatuur -20°C ~ 85°C (TA)

Beschrijvingen

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) Parallel 208MHz
NAND Flash en mobiele LPDDR PoP
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC