Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond-elektronica

  • W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics
Merknaam Winbond Electronics
Modelnummer W949D2DBJX5I
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - Mobiele LPDDR Geheugengrootte 512Mbit
Geheugenorganisatie 16M x 32 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 200 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 15ns
Toegangstijd 5 NS Spanning - Voeding 1.7V ~ 1.95V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 90-TFBGA Verpakking van de leverancier 90-VFBGA (8x13)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W9864G2JB-6 TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9812G2KB-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W94AD2KBJX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9864G2JB-6 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9812G2KB-6 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W987D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Algemene beschrijving

W9425G6DH is een CMOS Double Data Rate synchroon dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen (DDR SDRAM), georganiseerd als 4,194Met behulp van pipeline-architectuur en 0,11 μm procestechnologie levert W9425G6DH een gegevensbandbreedte van maximaal 500M woorden per seconde (-4).Volledige naleving van de industriële standaard voor personal computers, W9425G6DH is ingedeeld in vier snelheidscategorieën: -4, -5, -6 en -75. De -4 voldoet aan de DDR500/CL3-specificatie. De -5 voldoet aan de DDR400/CL3-specificatie.De -6 voldoet aan de DDR333/CL2.5 specificatie (de -6I-klasse die gegarandeerd -40 °C ~ 85 °C kan ondersteunen). De -75 is in overeenstemming met de DDR266/CL2-specificatie (de 75I-klasse die gegarandeerd -40 °C ~ 85 °C kan ondersteunen).

GESCHIEDENIS

• 2,5V ± 0,2V stroomvoorziening voor DDR266/DDR333
• 2.6V ± 0,1V stroomvoorziening voor DDR400/DDR500
• Clockfrequentie tot 250 MHz
• Double Data Rate architectuur; twee gegevensoverdrachten per clockcyclus
• Differentiële klokinvoer (CLK en CLK)
• DQS is rand-uitgerust met gegevens voor Lees; midden-uitgerust met gegevens voor Schrijven
• CAS-latentie: 2, 2,5 en 3
• De lengte van de ontploffing: 2, 4 en 8
• Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing
• Vooropgeladen en actieve uitval
• Schrijf een gegevensmasker
• Schrijf latency = 1
• 7,8 μS vernieuwingsinterval (8K / 64 mS vernieuwing)
• Maximale opwarmingscyclus: 8
• Interface: SSTL_2
• Verpakt in TSOP II 66-pin, 400 mil, 0,65 mm pin pitch, met Pb-vrij en RoHS-compliant

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Winbond Electronics
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Tray Alternatieve verpakking
Pakketdoos 90-TFBGA
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 10,7 V ~ 1,95 V
Verpakking van het product van de leverancier 90 VFBGA (8x13)
Geheugencapaciteit 512M (16M x 32)
Geheugentype Mobiele LPDDR-SDRAM
Versnelling 200 MHz
Format-geheugen RAM

Beschrijvingen

SDRAM - mobiel LPDDR geheugen IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-pin VFBGA
Markeringen:

Stabiel Flashgeheugen IC

Flashgeheugen niet Vluchtig IC

SPI-Flashgeheugen IC