MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

Merknaam Micron Technology Inc.
Modelnummer MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Niet-vluchtig, vluchtig Geheugenformaat FLITS, RAM
Technologie Flash - NAND, mobiele LPDRAM Geheugengrootte 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM)
Geheugenorganisatie 128M x 8 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 166 MHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina -
Toegangstijd - Spanning - Voeding 1.7V ~ 1.95V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 130-VFBGA Verpakking van de leverancier 130-VFBGA (8x9)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR IC FLSH NAND LPDDR 1.5G 130VFBGA
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Algemene beschrijving

Micron NAND Flash-apparaten bevatten een asynchrone data-interface voor high-performance I/O-operaties.Er zijn vijf besturingssignalen die worden gebruikt om de asynchrone data-interface te implementeren: CE#, CLE, ALE, WE# en RE#.
Deze hardware-interface creëert een apparaat met een laag pin-telling met een standaard pin-out die hetzelfde blijft van de ene dichtheid naar de andere, waardoor toekomstige upgrades naar hogere dichtheid kunnen worden uitgevoerd zonder dat het bord opnieuw wordt ontworpen.
Een doel is de geheugenunit die wordt geopend door een chip-activatie-signaal.Een NAND Flash die is de minimale eenheid die zelfstandig opdrachten kan uitvoeren en status kan rapporterenEen NAND Flash die, in de ONFI-specificatie, wordt aangeduid als een logische eenheid (LUN).zie Device and Array Organization (Device en Array-organisatie).
Dit apparaat heeft een interne 4-bits ECC die met behulp van de GET/SET-functies kan worden ingeschakeld.
Voor meer informatie, zie interne ECC en reserve-area mapping voor ECC.

Kenmerken

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-conform1
• Single-level cell (SLC) technologie
• Organisatie
️ Pagina grootte x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)

Blocgrootte: 64 pagina's (128K + 4K bytes)
Grootte van het vliegtuig: 2 vliegtuigen x 2048 blokken per vliegtuig
¢ Device-grootte: 4 GB: 4096 blokken; 8 GB: 8192 blokken 16 GB: 16.384 blokken
• Asynchrone I/O-prestaties
¢ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Array prestaties
¢ Lezen van pagina: 25μs 3
Programmapagina: 200 μs (type: 1,8 V, 3,3 V)
¢ Verwijderingsblok: 700 μs (TYP)
• Bevelsets: ONFI NAND Flash Protocol
• Geavanceerde commando's

Lees pagina cache modus 4
¢ Eenmalig programmeerbaar (OTP)

¢ Interleaved die (LUN) operaties
Lees unieke ID

¢ Intern gegevensverkeer
• De operationele status byte biedt een softwaremethode voor het detecteren van
¢ voltooiing van de operatie
– Pass/fail condition
️ Schrijfbeschermingsstatus
• Het signaal "Ready/Busy#" (R/B#) is een hardware-methode voor het detecteren van de voltooiing van de operatie.
• WP#-signaal: Schrijf bescherm het hele apparaat
• Het eerste blok (blokadres 00h) is geldig wanneer het van de fabriek met ECC wordt verzonden.
• Block 0 vereist 1-bits ECC indien de PROGRAMM/ERASE cycli kleiner zijn dan 1000
• RESET (FFh) als eerste opdracht na het inschakelen
• Alternatieve methode voor het initialiseren van het apparaat (Nand_In it) na het opstarten (contact factory)
• Ondersteunde interne dataverplaatsingsactiviteiten binnen het vlak van waaruit de gegevens worden gelezen
• Kwaliteit en betrouwbaarheid
Bewaring van gegevens: 10 jaar
- Duurzaamheid: 100.000 PROGRAMM/ERASE cycli
• Werkspanningsbereik
VCC: 2,7 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Werktemperatuur:
Commerciële: 0°C tot +70°C
Industrieel (IT): van 40 °C tot + 85 °C
• Pakket
️ 48-pins TSOP type 1, CPL2
- 63-bal VFBGA

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Micron Technology Inc.
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Grote hoeveelheid
Pakketdoos 130-VFBGA
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 10,7 V ~ 1,95 V
Verpakking van het product van de leverancier 130-VFBGA (8x9)
Geheugencapaciteit 1G (128M x 8) NAND), 512M (16M x 32) LPDRAM
Geheugentype Flash - NAND, mobiele LPDRAM
Versnelling 166 MHz
Format-geheugen Multi-chip (FLASH/RAM)

Beschrijvingen

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1Gb (128M x 8) ((NAND), 512Mb (16M x 32) ((LPDRAM) Parallel 166MHz 130-VFBGA (8x9)
MCP 128Mx8 Flash + 16Mx32 LPSDRAM 1.8V 130-Pin VFBGA