MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1,2GHz 78FBGA Micron Technology Inc.

Merknaam Micron Technology Inc.
Modelnummer MT40A1G4RH-083E: B
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Vluchtig Geheugenformaat BORREL
Technologie SDRAM - DDR4 Geheugengrootte 4Gbit
Geheugenorganisatie 1 g x 4 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie 1,2 GHz Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina -
Toegangstijd - Spanning - Voeding 1.14V ~ 1.26V
Werktemperatuur 0°C ~ 95°C (TC) Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos 78-TFBGA Verpakking van de leverancier 78-FBGA (9x10.5)
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Beschrijving

Deze 1500 watt transitieve spanningsonderdrukers bieden vermogen die alleen te vinden is in grotere pakketten.Ze worden meestal gebruikt voor bescherming tegen transiënten van inductieve schakelomgevingen of geïnduceerde secundaire bliksemeffecten zoals gevonden in lagere spanningsniveaus van IEC61000-4-5Met zeer snelle reactietijden zijn ze ook effectief tegen ESD of EFT.Powermite®-pakketkenmerken omvatten een volledig metalen bodem die de mogelijkheid van sluiting van de soldeerstroom tijdens de montage elimineertZe bieden ook een unieke vergrendeling die fungeert als een integrale hitteafvoer.de parasitaire inductantie wordt tot een minimum beperkt om spanningsoverschotten tijdens snel stijgende tijden te verminderen.

GESCHIEDENIS

• Verpakking voor het bevestigen van het oppervlak met een zeer laag profiel (1,1 mm)
• Geïntegreerde vergrendeling van de hitteafvoer
• Compatibel met automatische invoegapparatuur
• Volledig metalen bodem voorkomt dat de vloeistof wordt gevangen
• Spanningsbereik 5 tot 170 volt
• Verkrijgbaar in zowel eenrichtings- als tweerichtingsvorm (C voor tweerichtingsvorm)

Maximale ratings

• Werktemperatuur: -55°C tot +150°C
• Bergingstemperatuur: -55°C tot +150°C
• 1500 Watt piekpulsvermogen (10 / 1000 μsec)
• Voorstromingstroom: 200 ampère bij 8,3 ms (exclusief bidirectionele)
• Herhalingsspiegelsnelheid: 0,01%
• Thermische weerstand: 2,5°C / watt verbinding met tab 130°C / watt verbinding met omgeving met aanbevolen voetafdruk
• Lood en montage temperatuur: 260°C gedurende 10 sec.

AANVRACHTEN / VOORDELEN

• Secundaire overgangsbescherming tegen bliksem
• Inductieve schakeling van transitieve bescherming
• Kleine voetafdruk
• Zeer lage parasitaire inductance voor minimale spanningsoverschrijding
• Voldoet aan IEC61000-4-2 en IEC61000-4-4 voor respectievelijk ESD- en EFT-bescherming en IEC61000-4-5 voor hierin gedefinieerde spanningsniveaus

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Micron Technology Inc.
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks -
Verpakking Tray
Pakketdoos 78-TFBGA
Werktemperatuur 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 1.14 V ~ 1.26 V
Verpakking van het product van de leverancier De in punt 2 bedoelde parameters zijn van toepassing op:
Geheugencapaciteit 4G (1G x 4)
Geheugentype DDR4 SDRAM
Versnelling 18ns
Format-geheugen RAM

Beschrijvingen

SDRAM - DDR4 geheugen IC 4Gb (1G x 4) Parallel 1,2GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAM-chip DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78-pin FBGA