Alle producten
-
Geïntegreerde schakeling IC
-
De Module van rf IC
-
Energiebeheer ICs
-
MCU-Microcontroller Eenheid
-
FPGA-Geïntegreerde schakeling
-
De Sensor van geïntegreerde schakelingen
-
Interfacegeïntegreerde schakelingen
-
Digitale Opto Isolator
-
Flashgeheugen IC
-
Logicabuffer IC
-
De Spaander van versterkeric
-
Kloktiming IC
-
Gegevensverzameling IC
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Merknaam | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modelnummer | MT46H16M32LFCM-6 TR |
| Min. bestelaantal | 1 |
| Prijs | Based on current price |
| Verpakking Details | antistatische zak en kartonnen doos |
| Levertijd | 3-5 werkdagen |
| Betalingscondities | T/T |
| Levering vermogen | In voorraad |
Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
xProductdetails
| Geheugentype | Vluchtig | Geheugenformaat | BORREL |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - Mobiele LPDDR | Geheugengrootte | 512Mbit |
| Geheugenorganisatie | 16M x 32 | Geheugeninterface | Parallel |
| Klokfrequentie | 166 MHz | Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina | 15ns |
| Toegangstijd | 5 NS | Spanning - Voeding | 1.7V ~ 1.95V |
| Werktemperatuur | 0°C ~ 70°C (TA) | Montage-type | Oppervlakte |
| Pakket / doos | 90-VFBGA | Verpakking van de leverancier | 90 VFBGA (10x13) |
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Productomschrijving
Productgegevens
Mobiele DDR-SDRAM met laag vermogen
Kenmerken
• VDD/VDDQ = 1,701,95 V• Bidirectionele gegevensstrobe per byte van gegevens (DQS)
• Interne, doorlopende architectuur met dubbele gegevenssnelheid (DDR); twee data-toegangs per clockcyclus
• Differentiële klokinvoer (CK en CK#)
• Opdrachten die op elke positieve CK-rand worden ingevoerd
• DQS-rand uitgelijnd met gegevens voor READ's; midden uitgelijnd met gegevens voor WRIT's
• 4 interne banken voor gelijktijdige werking
• Gegevensmaskers (DM) voor het maskeren van schrijfgegevens; één masker per byte
• Programmeerbare ontploffingslengten (BL): 2, 4, 8 of 16
• Gelijktijdige automatische oplaadoptie wordt ondersteund
• Automatische vernieuwing en zelfvernieuwing
• 1,8 V LVCMOS-compatibele ingangen
• Temperatuurcompenserende zelfvernieuwing (TCSR)
• Partieel-array zelfvernieuwing (PASR)
• Grondige stroomuitval (DPD)
• Statusleesregister (SRR)
• Selecteerbare uitslag aandrijvingsterkte (DS)
• Clock stop mogelijkheid
• 64 ms vernieuwing, 32 ms voor auto-temperatuur
Specificaties
| Aantekening | Waarde van de eigenschap |
|---|---|
| Vervaardiging | Micron Technology Inc. |
| Productcategorie | Geheugen-IC's |
| Reeks | - |
| Verpakking | |
| Pakketdoos | 90-VFBGA |
| Werktemperatuur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Parallel |
| Spanningsvoorziening | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Verpakking van het product van de leverancier | 90 VFBGA (10x13) |
| Geheugencapaciteit | 512M (16M x 32) |
| Geheugentype | Mobiele LPDDR-SDRAM |
| Versnelling | 166 MHz |
| Format-geheugen | RAM |
Beschrijvingen
SDRAM - Mobile LPDDR geheugen IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
Geadviseerde Producten
