MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.

Algemene beschrijving

De MT28F004B3 (x8) en MT28F400B3 (x16/x8) zijn niet-vluchtige, elektrisch blokwisselbare (flash) programmeerbare geheugenapparaten met een capaciteit van 4,194Het schrijven of wissen van het apparaat gebeurt met een 3.3V of 5V VPP-spanning, terwijl alle bewerkingen worden uitgevoerd met een 3.3V VCCVanwege de vooruitgang in procestechnologie is 5V VPP optimaal voor toepassing en productieprogrammering.
De MT28F004B3 en MT28F400B3 zijn georganiseerd in zeven afzonderlijk uitwisbare blokken.de apparaten beschikken over een door hardware beschermd opstartblokHet schrijven of wissen van het opstartblok vereist het toepassen van een superspanning op de RP# pin of het besturen van WP# HIGH naast het uitvoeren van de normale schrijf- of wissen sequenties.Dit blok kan worden gebruikt voor het opslaan van code die is geïmplementeerd in systeemherstel op laag niveau.De overige blokken variëren in dichtheid en worden zonder extra beveiligingsmaatregelen geschreven en gewist.

GESCHIEDENIS

• Zeven verwijderblokken:
16KB/8K-woord bootblok (beschermd)
Twee 8KB/4K-woordparameterblokken
Vier hoofdgeheugenblokken
• Smart 3 technologie (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3.3V ±0.3V VPP-toepassingsprogrammering
5V ± 10% VPP-toepassing/productieprogrammering1
• Compatibel met een 0,3 μm Smart 3-apparaat
• Geavanceerd 0.18 μm CMOS zwevende poortproces
• Adrestoegangstijd: 80 ns
• 100.000 WISP-cycli
• Industrie-standaard-pinouts
• In- en uitgangen zijn volledig TTL-compatibel
• Geautomatiseerd schrijf- en wissen algoritme
• Twee-cyclus WRITE/ERASE sequentie
• LEES en SCHRIFT in een byte of een woord
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Alleen LEES en SCHRIEP voor alle bytes
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Verpakkingsmogelijkheden op basis van TSOP en SOP