IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

GESCHIEDENIS

● Standaardspanning: VDD en VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Lage spanning (L): VDD en VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Achteruit compatibel met 1,5 V
● Snelle gegevensoverdracht met een systeemfrequentie tot 1066 MHz
● 8 interne banken voor gelijktijdige werking
● 8n-bit pre-fetch architectuur
● Programmeerbare CAS-latentie
● Programmable Additive Latency: 0, CL-1, CL-2
● Programmeerbare CAS WRITE latency (CWL) op basis van tCK
● Programmabele ontploffingslengte: 4 en 8
● Programmeerbare uitbarstingsreeks: sequentieel of interleave
● BL-schakelaar op de vlucht
● Automatische zelfopfrissing (ASR)
● Zelfverfrissende temperatuur (SRT)
● Vernieuwingsinterval:
7.8 us (8192 cycli/64 ms) Tc= -40°C tot 85°C
3.9 us (8192 cycli/32 ms) Tc= 85°C tot 105°C
● Zelfverfrissing in een gedeeltelijke reeks
● Asynchrone RESET pin
● TDQS (Termination Data Strobe) ondersteund (alleen x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● Dynamische ODT (On-Die Termination)
● Stroomsterkte: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Schrijf het niveau
● Tot 200 MHz in DLL-afstand
● Werktemperatuur:
Commerciële (TC = 0°C tot +95°C)
Industrieel (TC = -40°C tot +95°C)
Automobiel, A1 (TC = -40°C tot +95°C)
Automobilerij, A2 (TC = -40°C tot +105°C)