Alle producten
-
Geïntegreerde schakeling IC
-
De Module van rf IC
-
Energiebeheer ICs
-
MCU-Microcontroller Eenheid
-
FPGA-Geïntegreerde schakeling
-
De Sensor van geïntegreerde schakelingen
-
Interfacegeïntegreerde schakelingen
-
Digitale Opto Isolator
-
Flashgeheugen IC
-
Logicabuffer IC
-
De Spaander van versterkeric
-
Kloktiming IC
-
Gegevensverzameling IC
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
xProductdetails
Geheugentype | Vluchtig | Geheugenformaat | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Asynchroon | Geheugengrootte | 64Kbit |
Geheugenorganisatie | 8K x 8 | Geheugeninterface | Parallel |
Klokfrequentie | - | Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina | - |
Toegangstijd | - | Spanning - Voeding | 4.5V ~ 5.5V |
Werktemperatuur | -55°C ~ 125°C (TA) | Montage-type | Door het gat |
Pakket / doos | 28-CDIP (0,600“, 15.24mm) | Verpakking van de leverancier | 28-CDIP |
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number | Description | |
---|---|---|
5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
Productomschrijving
Productgegevens
Beschrijving
De AT28C010 is een hoogwaardig elektrisch verwijderbaar en programmeerbaar leesgeheugen.Gemaakt met Atmel's geavanceerde niet-vluchtige CMOS technologie, biedt het apparaat toegangstijden tot 120 ns met een vermogensafbraak van slechts 440 mW. Wanneer het apparaat niet is geselecteerd, is de CMOS-standby-stroom minder dan 300 μA.
Kenmerken
• Vinnige leestijd - 120 ns• Automatische pagina schrijven
Intern adres en gegevensvergrendeling voor 128 bytes
¢ Interne controle timer
• Snel schrijven
¢ Schrijfcyclustijd van pagina - maximaal 10 ms
Schrijfoperatie van 1 tot 128 byte pagina
• Slechte energieverspilling
Actieve stroom
¥ 300 μA CMOS standby stroom
• Hardware- en softwarebeveiliging
• DATA-polling voor het detecteren van het einde van het schrijven
• CMOS-technologie met een hoge betrouwbaarheid
Uithoudingsvermogen: 104 of 105 cycli
Bewaring van gegevens: 10 jaar
• Eenmalige 5V ± 10% stroomtoevoer
• CMOS- en TTL-compatibele inputs en outputs
• JEDEC goedgekeurde byte-wide Pinout
Specificaties
Aantekening | Waarde van de eigenschap |
---|---|
Vervaardiging | Geïntegreerde circuitsystemen |
Productcategorie | Geheugen-IC's |
Reeks | 5962-38294 |
Type | Asynchrone |
Verpakking | Buis |
Montage-stijl | Door het gat |
Pakketdoos | 28-CDIP (0,600", 15,24 mm) |
Werktemperatuur | -55°C ~ 125°C (TA) |
Interface | Parallel |
Spanningsvoorziening | 4.5 V ~ 5.5 V |
Verpakking van het product van de leverancier | 28-CDIP |
Geheugencapaciteit | 64K (8K x 8) |
Geheugentype | SRAM - Asynchroon |
Versnelling | - |
Toegangstijd | 70 ns |
Format-geheugen | RAM |
Maximale werktemperatuur | + 125 °C |
Werktemperatuurbereik | - 55 C. |
Interface-type | Parallel |
Organisatie | 8 k x 8 |
Deel-#-Aliassen | 5962-38294 5962-3829407MXA |
Versmeltingsspanning-max | 5.5 V |
Voedingsspanning-min | 4.5 V |
Pakketdoos | CDIP-28 |
Functioneel compatibel onderdeel
Vorm, verpakking, functioneel compatibel onderdeel
Vervaardigersdeel# | Beschrijving | Vervaardiging | Vergelijk |
AS6C6264A-70PIN Geheugen |
Standaard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, ROHS compliant, PLASTIC, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA vs. AS6C6264A-70PIN |
FT6264L-70DWMLF Geheugen |
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat de in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 765/2008 vermelde gegevens worden opgeslagen in de gegevensbank van de lidstaat van oorsprong. | Force Technologies Ltd. | 5962-3829407MXA tegen FT6264L-70DWMLF |
V62C51864L-70P Geheugen |
Standaard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Mosel Vitelic Corporation | 5962-3829407MXA tegenover V62C51864L-70P |
5962-3829407MXA Geheugen |
Standaard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | Motorola halfgeleiderproducten | 5962-3829407MXA tegenover 5962-3829407MXA |
AS6C6264A-70PCN Geheugen |
Standaard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, ROHS compliant, PLASTIC, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA vs. AS6C6264A-70PCN |
FT6264L-70DWMBLF Geheugen |
Voor de toepassing van deze richtlijn geldt dat de in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 765/2008 vermelde gegevens worden opgeslagen in de gegevensbank van de lidstaat van oorsprong. | Force Technologies Ltd. | De Commissie is van mening dat de Commissie de in artikel 5 van Verordening (EG) nr. 1225/2009 bedoelde maatregelen moet treffen om de in artikel 5 van Verordening (EG) nr. 1225/2009 bedoelde maatregelen te beperken tot de in artikel 5 van Verordening (EG) nr. 1225/2009 bedoelde maatregelen. |
IMS1630LS-70M Geheugen |
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28, zijdelings gebrazen, keramisch, DIP-28 | STMicro-elektronica | 5962-3829407MXA tegenover IMS1630LS-70M |
Beschrijvingen
SRAM - Asynchroon geheugen IC 64Kb (8K x 8) Parallel 28-CerDip
SRAM 64K Asynchrone 8K x 8 SRAM
Geadviseerde Producten