DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

Merknaam Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Modelnummer DS1220AD-100IND+
Min. bestelaantal 1
Prijs Based on current price
Verpakking Details antistatische zak en kartonnen doos
Levertijd 3-5 werkdagen
Betalingscondities T/T
Levering vermogen In voorraad

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechatten: 0086 18588475571

Skypen: sales10@aixton.com

Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.

x
Productdetails
Geheugentype Niet-vluchtig Geheugenformaat NVSRAM
Technologie NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM) Geheugengrootte 16Kbit
Geheugenorganisatie 2K x 8 Geheugeninterface Parallel
Klokfrequentie - Schrijf Cyclusduur - Word, Pagina 100ns
Toegangstijd 100 NS Spanning - Voeding 4.5V ~ 5.5V
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA) Montage-type Door het gat
Pakket / doos 24-ONDERDOMPELING Module (0,600“, 15.24mm) Verpakking van de leverancier 24-EDIP
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
Part Number Description
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Laat een bericht achter
Part Number Description
Productomschrijving

Productgegevens

Beschrijving

De DS1220AB en DS1220AD 16k Nonvolatile SRAM's zijn 16,384-bits, volledig statische, niet-vluchtige SRAM's georganiseerd als 2048 woorden per 8 bits.Elke NV SRAM is voorzien van een zelfstandige lithiumenergiebron en een besturingscircuitsysteem dat VCC voortdurend controleert op een toestand buiten de tolerantie.Wanneer een dergelijke situatie zich voordoet, wordt de lithium-energiebron automatisch ingeschakeld en is schrijfbescherming onvoorwaardelijk ingeschakeld om corruptie van gegevens te voorkomen.De NV SRAM's kunnen worden gebruikt in plaats van bestaande 2k x 8 SRAM's die rechtstreeks voldoen aan de populaire 24-pin DIP-standaardDe apparaten komen ook overeen met de uitstraling van de 2716 EPROM en de 2816 EEPROM, waardoor directe vervanging mogelijk is en tegelijkertijd de prestaties worden verbeterd.Er is geen beperking op het aantal schrijfcycli dat kan worden uitgevoerd en er is geen extra ondersteuningscircuits vereist voor microprocessor-interfacing.

GESCHIEDENIS

■ 10 jaar minimale gegevensbewaring bij afwezigheid van externe stroom
■ Gegevens worden automatisch beschermd bij stroomstoring
■ Direct vervangt 2k x 8 vluchtige statische RAM of EEPROM
■ Onbeperkte schrijfcycli
■ CMOS met een laag vermogen
■ JEDEC-standaard 24-pin DIP-pakket
■ Lees- en schrijftoegangstijden van 100 ns
■ Lithium-energiebron wordt elektrisch afgesloten om de versheid te behouden tot de eerste aanbrenging van stroom
■ Volledige ±10% VCC-werkbereik (DS1220AD)
■ Optioneel ±5% VCC-operatiebereik (DS1220AB)
■ optioneel industriële temperatuurbereik van -40°C tot +85°C, aangeduid als IND

Specificaties

Aantekening Waarde van de eigenschap
Vervaardiging Dallas Semiconductors.
Productcategorie Geheugen-IC's
Reeks DS1220AD
Verpakking Buis
Montage-stijl Door het gat
Pakketdoos 24-DIP-module (0,600", 15,24 mm)
Werktemperatuur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interface Parallel
Spanningsvoorziening 4.5 V ~ 5.5 V
Verpakking van het product van de leverancier 24-EDIP
Geheugencapaciteit 16K (2K x 8)
Geheugentype NVSRAM (niet-vluchtige SRAM)
Versnelling 100 ns
Toegangstijd 100 ns
Format-geheugen RAM
Maximale werktemperatuur + 85 C
Werktemperatuurbereik - 40 C.
Bedrijfsvoorzieningstroom 85 mA
Interface-type Parallel
Organisatie 2 k x 8
Deel-#-Aliassen 90-1220A+D1I DS1220AD
Databusbreedte 8 bit
Versmeltingsspanning-max 5.5 V
Voedingsspanning-min 4.5 V
Pakketdoos EDIP-24

Functioneel compatibel onderdeel

Vorm, verpakking, functioneel compatibel onderdeel

Vervaardigersdeel# Beschrijving Vervaardiging Vergelijk
DS1220Y-100
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-24 Dallas halfgeleider DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100
DS1220AB-100IND
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTIC, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND
DS1220AD-100
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDED, DIP-24 Dallas halfgeleider DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100
DS1220Y-100IND
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND
DS1220AD-100IND
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTIC, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100IND
DS1220AB-100+
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, ROHS-conform, PLASTIC, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100+
DS1220AB-100IND+
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, ROHS-conform, PLASTIC, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND+
DS1220Y-100+
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100+
DS1220Y-100IND+
Geheugen
Niet-vluchtige SRAM-module, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, ROHS-conform, DIP-24 Maxim Geïntegreerde producten DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND+
DS1220AB-100
Geheugen
2KX8 Niet-vluchtige SRAM-module, 100ns, DMA24, 0,720 INCH, PLASTIC, DIP-24 Rochester Electronics LLC DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100

Beschrijvingen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) geheugen IC 16Kb (2K x 8) Parallel 100ns 24-EDIP
NVRAM 16k Niet-vluchtige SRAM