IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

GESCHIEDENIS

• Standaardspanning: VDD en VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Lage spanning (L): VDD en VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Achteruit compatibel met 1,5 V
• hoge snelheidsgegevensoverdracht met een systeemfrequentie tot 933 MHz
• 8 interne banken voor gelijktijdige werking
• 8n-bit pre-fetch architectuur
• Programmeerbare CAS-latentie
• Programmable Additive Latency: 0, CL-1, CL-2
• Programmeerbare CAS WRITE latency (CWL) op basis van tCK
• Programmable Burst Length: 4 en 8
• Programmeerbare uitbarstingsreeks: sequentieel of interleave
• BL-schakelaar op de vlucht
• Automatische zelfvernieuwing (ASR)
• Zelfverfrissingstemperatuur (SRT)
• Vernieuwingsinterval:
7.8 us (8192 cycli/64 ms) Tc= -40°C tot 85°C
3.9 us (8192 cycli/32 ms) Tc= 85°C tot 105°C
• Zelfverfrissing in een gedeeltelijke reeks
• Asynchrone RESET pin
• TDQS (Termination Data Strobe) ondersteund (alleen x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• Dynamische ODT (On-Die Termination)
• Stroomsterkte: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Schrijf het niveau
• Tot 200 MHz in DLL uitgeschakelde modus
• Werktemperatuur:
Commerciële (TC = 0°C tot +95°C)
Industrieel (TC = -40°C tot +95°C)
Automobiel, A1 (TC = -40°C tot +95°C)
Automobilerij, A2 (TC = -40°C tot +105°C)