China W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond-elektronica

W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond-elektronica

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
China MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
China AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Duitsland GmbH

AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Duitsland GmbH

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Microchiptechnologie

AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Microchiptechnologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Winbond-elektronica

W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Winbond-elektronica

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR
China IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronica

M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronica

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China 24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Microchip technologie

24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
28 29 30 31 32 33 34 35