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China IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchroon, STR
China CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchroon, QDR II+
China IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, geïntegreerde Silicon Solution Inc

IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, geïntegreerde Silicon Solution Inc

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
China FM18W08-SGTR IC-FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies

FM18W08-SGTR IC-FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies

S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Infineon Technologies

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Infineon Technologies

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Infineon Technologies

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3L
China 7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dubbele poort, asynchroon
China 71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dubbele poort, asynchroon
China IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
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