China IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
technologie: SRAM - Asynchroon
China MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc.

MTFC16GJUEF-AIT TR IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc.

MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc.

R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
technologie: SRAM
China M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.

M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: RAM
Technologie: MRAM (Magnetoresistive RAM)
China FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd.

FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China 71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
technologie: SRAM - Synchroon, STR
China MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SOP Macronix

MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SOP Macronix

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics

W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
technologie: SDRAM - DDR2
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