Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
technologie: SRAM - Dual Port, synchroon
China R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.

R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR
China IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: PSRAM
Technologie: PSRAM (Pseudosram)
China CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies

CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
technologie: SRAM - Synchroon, QDR IV
China 7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc.

7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dubbele poort, asynchroon
China AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCC Microchip technologie

AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32LCC Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3
China THGBMHG6C1LBAU6 IC FLASH 8GBIT EMMC 153WFBGA Kioxia America, Inc.

THGBMHG6C1LBAU6 IC FLASH 8GBIT EMMC 153WFBGA Kioxia America, Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS - (MLC)
China IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchroon, DDR II
1 2 3 4 5 6 7 8