China TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS - (SLC)
China CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Semiconductor Corp.

CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Semiconductor Corp.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, synchroon
China S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC-FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC-FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR2
China AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Micron Technology Inc.

MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALLEL 166MHZ Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR2
China RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM
China CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Infineon Technologies

CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
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