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China MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON Macronix

MX25L6406EZNI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON Macronix

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK)

GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK)

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Micron Technology Inc.

MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: PSRAM
Technologie: PSRAM (Pseudosram)
China MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR2
China MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2,133GHz 376WFBGA Micron Technology Inc.

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2,133GHz 376WFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR4
China MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1,866GHz 200VFBGA Micron Technology Inc.

MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1,866GHz 200VFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR4
China 5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
China MT29F128G08AKAAAC5:A IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08AKAAAC5:A IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Micron Technology Inc

MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Micron Technology Inc

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: PSRAM
Technologie: PSRAM (Pseudosram)
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