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China IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3
China AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Microchip technologie

AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC-FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC-FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Microchip technologie

AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.

71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.

MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1,2GHz 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1,2GHz 78FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR4
China IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: BORREL
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