China MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR4
China AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Microchip technologie

AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Microchiptechnologie

AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Microchiptechnologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Infineon Technologies

CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR2
China AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Microchip technologie

AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOP Microchip Technologie

AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOP Microchip Technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2,133GHz 200VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2,133GHz 200VFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR4
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