Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc.

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, synchroon
China BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Rohm halfgeleider

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Rohm halfgeleider

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dubbele poort, asynchroon
China W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond-elektronica

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond-elektronica

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR2
China MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond-elektronica

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond-elektronica

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, synchroon
15 16 17 18 19 20 21 22