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China MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics

W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3
China MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3L
China MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.

MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: BORREL
China 71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.

71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
China CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.

CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR
China MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM
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