Alle producten
Contactpersoon : Zhao
Telefoonnummer : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085
China CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC op semi

CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC op semi

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electronics

W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electronics

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS - (SLC)
China CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Infineon Technologies

CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Infineon Technologies

CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR
China MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA Micron Technology Inc.

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Duitsland GmbH

AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Duitsland GmbH

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchroon, STR
China SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN microchiptechnologie

SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN microchiptechnologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM)
18 19 20 21 22 23 24 25