China MX25L3233FM2I-08G IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Macronix

MX25L3233FM2I-08G IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Macronix

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3
China AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Duitsland GmbH

AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Duitsland GmbH

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Cypress Semiconductor Corp.

FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Cypress Semiconductor Corp.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: NAND FLITS -
China MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR3L
China DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim geïntegreerd

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM)
China 93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Microchiptechnologie

93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Microchiptechnologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
China MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1,6GHz 200WFBGA Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1,6GHz 200WFBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - Mobiele LPDDR4
China AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Microchiptechnologie

AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Microchiptechnologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EEPROM
Technologie: EEPROM
21 22 23 24 25 26 27 28