China CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchroon
China IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: RLDRAM 2
China S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies

S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: BORREL
Technologie: SDRAM - DDR
China AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Duitsland GmbH

AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Duitsland GmbH

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: Flash
China PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Geheugentype: Vluchtig
Geheugenformaat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchroon, DDR II
China S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies

S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: Flash
Technologie: FLITS - NOCH
China CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP

CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (Niet-vluchtig SRAM)
China AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Microchip technologie

AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Microchip technologie

Geheugentype: Niet-vluchtig
Geheugenformaat: EPROM
Technologie: EPROM - OTP
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